重创新、强效益，国星半导体党支部攻坚克难、砥砺前行

大功率LED芯片科研攻关

党员专项攻坚小组坚持贯彻公司“3+2”产品战略，结合“百日攻坚”行动要求，以车用市场需求和车用大功率LED芯片产品问题为导向，不断在开发新工艺、改善应力结构、优化结构设计、散热性能设计、优化小电流低辉状态下的发光特性等方面试验，成功找到改善大电流及环境极其苛刻时，车用大功率LED芯片稳定性的解决办法。为加强与市场部门配合，积极进行新产品推广和大客户攻关，党员专项攻坚小组每周定期召开车用大功率LED专案会议，汇总研发、生产、品质、销售等各部门的问题和需求，逐一研究落实解决，并建立了会议项目专项追踪制度，保障措施切实到位。

截止目前，车用大功率LED芯片科研攻关取得明显进展，实现了3W、5W、7W等三个系列产品开发和稳定量产，并顺利通过客户的检验和认证，产品性能达到行业前列，初步显现攻坚成效。

中功率倒装产品持续优化

为响应市场发展需求，党员专项攻坚小组对中功率DBR倒装产品实施了针对性布局，制定了核心DBR膜系性能提升和技术攻关专项行动方案，细化工作职责、分解攻关任务，使行动取得了良好的成效。一是优化了芯片结构，调整了各个膜层之间结合力，增强了产品的可靠性；二是明确了工艺细节，加强了产线管控，保证了芯片制作质量；三是通过分析反射模组结构，优化内部应力关系，改善了客户高温共晶焊的条件膜层的性能。

目前，攻坚小组已完成数款中功率倒装产品的开发及性能优化，目前样品均提供客户进行确认，后续将逐步推向市场。

下一步，国星半导体党支部将继续把“百日攻坚”专项行动当作优化创效、建功立业的平台，通过新工艺开发、薄膜应力改善、版图优化、散热性能优化设计等方式持续优化中/大功率LED产品性能，提升产品质量，巩固并强化公司产品的市场竞争力，以高质量党建助力公司高质量发展。